陶(tao)瓷電(dian)容(rong)(rong)是具有小的正電(dian)容(rong)(rong)溫(wen)度系數的電(dian)容(rong)(rong)器，用于高穩(wen)定(ding)振蕩(dang)回(hui)路中(zhong)，作為回(hui)路電(dian)容(rong)(rong)器及墊整電(dian)容(rong)(rong)器。低頻瓷介(jie)電(dian)容(rong)(rong)器限于在工作頻率較低的回(hui)路中(zhong)作旁路或(huo)隔直流用，或(huo)對穩(wen)定(ding)性和損耗要求不(bu)高的場合，這種電(dian)容(rong)(rong)器不(bu)宜使用在脈沖(chong)(chong)電(dian)路中(zhong)，因為它們易于被脈沖(chong)(chong)電(dian)壓擊穿(chuan)。
陶瓷(ci)電(dian)容(rong)器雖有(you)上(shang)述很多優(you)點，但因陶瓷(ci)材(cai)料本(ben)身(shen)機(ji)械(xie)強度(du)低、易破碎(sui)這(zhe)(zhe)(zhe)一(yi)(yi)缺陷，使其圓(yuan)(yuan)片(pian)的(de)(de)幾何尺(chi)(chi)(chi)寸受到限制，這(zhe)(zhe)(zhe)也(ye)(ye)是(shi)不同溫度(du)特性有(you)不同容(rong)量(liang)范(fan)圍的(de)(de)主要原因。通常標準上(shang)對低壓(ya)圓(yuan)(yuan)片(pian)電(dian)容(rong)的(de)(de)允許直徑D≤12mm,高壓(ya)電(dian)容(rong)的(de)(de)圓(yuan)(yuan)片(pian)允許直徑D≤16mm.如超過這(zhe)(zhe)(zhe)一(yi)(yi)尺(chi)(chi)(chi)寸，生產(chan)加(jia)工難度(du)和廢(fei)品率就會有(you)很大增加(jia)，并且在瓷(ci)片(pian)本(ben)體上(shang)產(chan)生的(de)(de)微小(xiao)裂紋都將對電(dian)容(rong)器的(de)(de)可靠性產(chan)生很大隱患。因不同廠家在材(cai)料研制和工藝制造方面的(de)(de)水平不同，其外形尺(chi)(chi)(chi)寸標準也(ye)(ye)有(you)差異，故其容(rong)量(liang)標稱(cheng)范(fan)圍也(ye)(ye)有(you)部(bu)分區別。因此上(shang)述容(rong)量(liang)劃(hua)分表只是(shi)一(yi)(yi)個行業平均(jun)水平匯總的(de)(de)結果，今(jin)后(hou)隨著(zhu)材(cai)料工藝的(de)(de)進一(yi)(yi)步提高，陶瓷(ci)電(dian)容(rong)的(de)(de)尺(chi)(chi)(chi)寸會進一(yi)(yi)步縮小(xiao)，其容(rong)量(liang)范(fan)圍就會進一(yi)(yi)步擴大。
圓(yuan)片(pian)式瓷介(jie)電容器的(de)包(bao)封(feng)(feng)形式通常(chang)按電壓(ya)區(qu)分，500VDC以下的(de)低壓(ya)產品CC1、CT1系列均采(cai)用酚(fen)醛樹(shu)(shu)脂(zhi)包(bao)封(feng)(feng)，該樹(shu)(shu)脂(zhi)絕緣強(qiang)度和耐(nai)(nai)(nai)濕性(xing)較差，但(dan)成本較低。為改善耐(nai)(nai)(nai)濕性(xing)，此類包(bao)封(feng)(feng)外(wai)層均浸用一(yi)層薄蠟(la)。1KVDC以下和交流電容系列，均采(cai)用絕緣強(qiang)度和耐(nai)(nai)(nai)濕特性(xing)優良的(de)阻燃環氧樹(shu)(shu)脂(zhi)包(bao)封(feng)(feng)。
除圓片式瓷介電容器外，目前還廣泛使用的有軸向引線色環陶瓷電容和貼片式陶瓷電容，其內部結構為疊層方式，因而體積很小，但容量可以達到1μF以上，非常利于裝配，但由于其結構限制，絕緣電阻和耐壓無法做得很高，因而目前只限于低壓（50V以內）產品，其損耗和溫度特性與圓片電容相同。
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